1.         帶背光燈型數(shù)字壓力表.         型號(hào)：MHY-17112

帶背光燈型數(shù)字壓力表.  結(jié)合了.的微處理和的模數(shù)轉(zhuǎn)換算法，達(dá)到度，低耗的要求。采用大屏幕的液晶顯示，使數(shù)據(jù)清晰易讀。的背景燈夜晚也能正常使用，采用口芯片，對(duì)儀表數(shù)據(jù)采集、記憶、測(cè)量保持zui峰值，手動(dòng)回零，外殼采用不銹鋼，耐腐蝕，抗機(jī)械壓力，機(jī)體整體采用密封，可以應(yīng)用在多種復(fù)雜的環(huán)境中。陶瓷傳感器經(jīng)久耐用，安衛(wèi)生，可應(yīng)用在食品衛(wèi)生行業(yè)。本產(chǎn)品是外名數(shù)字壓力表的中OEM產(chǎn)品，擁有和外數(shù)字壓力表同樣性能，是替代傳統(tǒng)機(jī)械表的理想選擇。

注：適用于：適用夜晚場(chǎng)合使用（按下壓力表上方按鈕，背光燈開啟）。

性

l電氣性：作電源：3.6VDC;   率消耗：100微瓦

作溫度：-20℃~+80℃  -40℃~+80℃

作濕度：10%～90%（不凝結(jié)）;連續(xù)作時(shí)間：大于3年

度等：0.25%；0.5%；1%；

測(cè)量范圍：0～100Mpa（可選）；0～10Kpa～600Kpa （可選）；

真空：-100Kpa～0Kpa（可選）-0.1～ 0 Mpa

壓力真空：-0.1～2.4Mpa（可選）；- 100～2400Kpa

壓力單位可選：Mpa 、Kpa、Kgf/cm2、Bar、mBar、Psi

KN、mmAq mmHo、Torr mmhg、atm 

屏幕信息量：4位9段; 報(bào)警輸出電壓：2.7V-3.0V（5mA）

壓力響應(yīng)時(shí)間：2S

 機(jī)械性

振動(dòng)性：40g（zui大）；4g（zui大）15-200Hz

2.               電子天平   型號(hào)；MHY-20951

稱量范圍  0-510g
讀數(shù)度  10mg
秤盤尺寸  Φ160mmX160mm
外形尺寸  223mmX330mmX80mm
電    源  220V/50Hz

3.         小型制冷和制冷性能實(shí)驗(yàn)儀  型號(hào)：MHY-20950

由小型制冷試驗(yàn)機(jī)和制冷性能實(shí)驗(yàn)儀兩分組成，可獲得溫度—時(shí)間響應(yīng)性，制冷量—溫度性，制冷系數(shù)和制冷效率并行熱過程分析。

4.            納米微粒制備實(shí)驗(yàn)儀 型號(hào)：MHY-20949

參照電阻加熱蒸發(fā)法制備微顆粒的原理，行相關(guān)的金屬、氧化物、分子材料及其他材料的微顆粒制備實(shí)驗(yàn)或演示

、基本原理

納米（Nano-ST）是20紀(jì)80年代末期剛剛誕生并正在迅速發(fā)展的。它是研究由尺寸在0.1～100納米（nm）之間的物質(zhì)組成體系的運(yùn)動(dòng)規(guī)律和相互作用以及可能的實(shí)際應(yīng)用中的問題的，它是度交叉的綜合性學(xué)科，也是個(gè)融前沿和于體的整體系。

在整個(gè)納米科的發(fā)展過程中,納米微粒的制備和微粒性質(zhì)的研究是zui早開展的。

微粒制備的方法很多,按制備方法可分為物理方法和化學(xué)方法。按制備路經(jīng)分，可分為粉碎法和聚集法。

本實(shí)驗(yàn)儀采用電阻加熱，氣體冷凝法制備納米微粒。

圖中顯示蒸汽冷凝法制備納米微粒的過程。利用抽氣泵（真空泵）對(duì)系統(tǒng)行真空抽吸，并利用惰性氣體行置換。惰性氣體為純Ａｒ、Ｈｅ等，有些情形也可以考慮用Ｎ２氣。經(jīng)過幾次置換后，將真空反應(yīng)室內(nèi)保護(hù)氣的氣壓調(diào)節(jié)控制至所需的參數(shù)范圍，通常約為0.1ｋＰａ至10ｋＰａ范圍，與所需粒子粒徑有關(guān)。當(dāng)原材料被加熱至蒸發(fā)溫度時(shí)蒸發(fā)成氣相。氣相的原材料原子與惰性氣體的原子（或分子）碰撞，迅速降低能量而驟然冷卻。驟冷使得原材料的蒸汽中形成很的局域過飽和，非常有利于成核。成核與生長過程都是在短的時(shí)間內(nèi)發(fā)生的。形成原子簇，然后繼續(xù)生長成納米微晶，zui終在收集器上收集到納米粒子。
二、儀器組成

如圖所示

納米微粒制備實(shí)驗(yàn)儀外型圖   儀器照片

實(shí)驗(yàn)儀器：

玻璃真空罩G置于儀器真空橡皮圈的上方。平時(shí)真空罩內(nèi)保持定程度的低氣壓，以維護(hù)系統(tǒng)的清潔。當(dāng)需要制備微粒時(shí)，打開閥門Ｖ2讓空氣入真空室，使得真空室內(nèi)外氣壓相近即可掀開真空罩。真空罩下方真空室底盤Ｐ的上倒置了只玻璃燒杯Ｆ，用作納米微粒的收集器。兩個(gè)銅電Ｉ之間可以接上隨機(jī)附帶的螺旋狀鎢絲Ｈ。銅電接至蒸發(fā)速率控制單元，若在真空狀態(tài)下或低氣壓惰性氣體狀態(tài)下啟動(dòng)該單元，鎢絲上即通過電并可獲得1000℃ 以上的溫。真空底盤Ｐ開有四個(gè)孔，孔的下方分別接有氣體壓力傳感器Ｅ，以及連結(jié)閥門Ｖ1、Ｖ2和電磁閥Ｖe的管道。氣體壓力傳感器Ｅ連結(jié)至真空度測(cè)量單元，并在數(shù)字顯示表Ｍ1上直接顯示實(shí)驗(yàn)過程中真空室內(nèi)的氣體壓力。閥門Ｖ1通過管道與儀器后側(cè)惰性氣體接口連結(jié)，實(shí)驗(yàn)時(shí)可利用Ｖ1調(diào)整氣體壓力，亦可借助Ｖe調(diào)整壓力。閥門Ｖ2的另端直通大氣，主要為打開鐘罩而設(shè)立。電磁閥Ｖe的另端接至抽氣單元并由該單元實(shí)行抽氣的自動(dòng)控制，以保證抽氣的順利行并排除真空泵油倒灌入真空室。蒸發(fā)控制單元的加熱率控制旋鈕置于儀器面板上。調(diào)節(jié)加熱器時(shí)數(shù)字顯示表Ｍ2直接顯示加熱率。
三、主要標(biāo) 

真空度<0.01KPa

氣體壓力測(cè)量范圍0.01KPa ～120KPa   四位半數(shù)字顯示

加熱率0  ～200W

率測(cè)量  三位半數(shù)字顯示

電源  220V  50Hz

四、操作步驟

1.準(zhǔn)備作

（1）檢查儀器系統(tǒng)的電源接線、惰性氣體連結(jié)管道是否正常。惰性氣體用純Ar氣，亦可考慮使用化學(xué)性質(zhì)不活潑的純Ｎ2氣。

（2）利用脫脂白綢布、分析純酒、仔細(xì)擦凈真空罩以及罩內(nèi)的底盤、電和燒杯。

（3）將螺旋狀鎢絲接至銅電。

（4）從樣品盒中取出銅片（用于納米銅粉制備），在鎢絲的每圈上掛片，罩上燒杯。

（5）罩上真空罩，關(guān)閉閥門Ｖ1、Ｖ2，將加熱率旋鈕沿逆時(shí)針方向旋至zui小，合上電源總開關(guān)Ｓ1。此時(shí)真空度顯示器顯示出與大氣壓相當(dāng)?shù)臄?shù)值，而加熱率顯示值為零。由于ＨＴ-21８預(yù)置了不當(dāng)操作報(bào)警，如果加熱率旋鈕未調(diào)節(jié)至zui小，蜂鳴器將持續(xù)發(fā)出信號(hào)直至糾正為止。

（6）合上開關(guān)Ｓ2，此時(shí)抽氣單元開始作，電磁閉Ｖe自動(dòng)接通，真空室內(nèi)壓力下降。下降至定值時(shí)關(guān)閉Ｓ2，觀察真空度是否基本穩(wěn)定在該值附近，如果真空度持續(xù)變差，表明存在漏氣因素，檢查Ｖ1、Ｖ2是否關(guān)閉。正常情況下不應(yīng)漏氣。

（7）打開閥門Ｖ1，此時(shí)惰性氣入真空室，氣壓隨之變大。

（8）熟練上述抽氣與供氣的操作過程，直至可以按實(shí)驗(yàn)的要求調(diào)節(jié)氣體壓力。

（9）準(zhǔn)備好備用的干凈毛刷和收集納米微粉的容器。

2.制備銅納米微粒。

（1）關(guān)閉Ｖ1、Ｖ2閥門，對(duì)真空室抽氣至0.05ｋＰａ附近。

（2）利用氬氣（或氮?dú)猓_洗真空室。打開閥門Ｖ1使氬氣（或氮?dú)猓┤胝婵帐?，邊抽氣邊氣（氬氣或氮?dú)猓┘s５分鐘。

（3）關(guān)閉閥Ｖ1，觀察真空度至0.13ｋＰａ附近時(shí)關(guān)閉Ｓ2，停止抽氣。此時(shí)真空度應(yīng)基本穩(wěn)定在0.13ｋＰａ附近。

（4）沿順時(shí)針方向緩慢旋轉(zhuǎn)加熱率旋鈕，觀察加熱率顯示器，同時(shí)關(guān)注鎢絲。隨著加熱率的逐漸增大，鎢絲逐漸發(fā)紅而變亮。當(dāng)溫度達(dá)到銅片（或其它材料）的熔點(diǎn)時(shí)銅片熔化，并由于表面張力的原因，浸潤至鎢絲上。

（5）繼續(xù)加大加熱率時(shí)可以見到用作收集器的燒杯表面變黑，表明蒸發(fā)已經(jīng)開始。隨著蒸發(fā)過程的展，鎢絲表面的銅液越來越少，zui終蒸發(fā)掉，此時(shí)應(yīng)立即將加熱率調(diào)至zui小。

（6）打開閥門Ｖ2使空氣入真空室，當(dāng)壓力與大氣壓zui近時(shí)，小心移開真空罩，取下作為收集罩的燒杯。用刷子輕輕地將層黑色粉末刷至燒杯底再倒入備好的容器，貼上標(biāo)簽。收集到的細(xì)粉即是納米銅粉。

（7）在2×0.13ｋＰａ，５×0.13ｋＰａ，1０×0.13ｋＰａ及３０×0.13ｋＰａ處重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)步驟制備，并記錄每次蒸發(fā)時(shí)的加熱率，觀察每次制備時(shí)蒸發(fā)情況有何差異。

5.                      變溫霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀 型號(hào)：MHY-20948

霍爾效應(yīng)的測(cè)量是開展半導(dǎo)體研究的重要方法。本機(jī)利用計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)采集和處理在80K-400K溫度范圍內(nèi)對(duì)霍爾系數(shù)和電導(dǎo)率的聯(lián)合測(cè)量，行半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)制及散射機(jī)制的研究，并可確定半導(dǎo)體的些基本參數(shù)，如導(dǎo)電類型、載子濃度、遷移率、禁帶寬度以及雜質(zhì)電離能等。         
主要標(biāo)
1．電磁鐵          0-300mT連續(xù)可調(diào)
2. 勵(lì)磁電源       0-5A連續(xù)可調(diào)  可自動(dòng)換向       穩(wěn)定性﹤±0.1%
3. 數(shù)字斯拉計(jì)              0-2000mT       三位半數(shù)字顯示   分辨率0.001
4. 恒源輸出       1mA       穩(wěn)定性±0.1%
5. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)霍爾電壓測(cè)量zui小分辨率1uV
6. 溫度變化測(cè)量范圍           80-400K
7. 整套儀器由電磁鐵系統(tǒng)、電源控制系統(tǒng)機(jī)箱、測(cè)量系統(tǒng)主機(jī)、恒溫器四分組成
8. 探頭樣品采用單晶鍺片